<p>Arm公司和三星公司本周宣布了針對Arm下一代Cortex通用CPU內核以及三星下一代工藝技術（采用全柵極GAA多橋溝道場效應晶體管MBCFET）的聯合設計技術共同優化（DTCO）計劃。</p><p><img data-reference="image" src="https://img-s-msn-com.akamaized.net/tenant/amp/entityid/BB1iIpXj"></p><p>根據該計劃，兩家公司的目標是為各種應用（包括智能手機、數據中心、基礎設施和各種定制的片上系統）提供基于三星 2 納米級工藝技術的定制版 Cortex-A 和 Cortex-X 內核。目前，這兩家公司還沒有透露他們的目標是為三星第一代 2 納米生產節點 SF2（將于 2025 年推出）共同優化 Arm 的 Cortex 內核，還是計劃為所有 SF2 系列技術（包括 SF2 和 SF2P）優化這些內核。</p><p>通道四面都被柵極包圍的 GAA 納米片晶體管有很多優化選擇。例如，可以拓寬納米片溝道以增加驅動電流并提高性能，或者縮小溝道以降低功耗和成本。根據不同的應用，青島豐碩機械設備有限公司Arm 和三星將有大量的設計選擇。</p><p>考慮到面向各種應用的 Cortex-A 內核，以及專為提供最高性能而設計的 Cortex-X 內核，雙方合作的成果將是相當可觀的。尤其期待性能最大化的 Cortex-X 內核、性能和功耗最優化的 Cortex-A 內核以及功耗更低的 Cortex-A 內核。</p><p>如今，Arm 等 IP（知識產權）開發商與三星代工廠等代工廠之間的合作對于最大限度地提高性能、降低功耗和優化晶體管密度至關重要。與 Arm 的合作將確保三星的代工合作伙伴能夠獲得完全符合他們需求的處理器內核。</p>

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